Las memorias eMMC, UFS, y eMCP requieren varias líneas de alimentación que permiten su correcto funcionamiento. Cada tipo de memoria tiene ciertas necesidades específicas, pero en general, las líneas de alimentación se distribuyen para alimentar tanto el núcleo de la memoria como los circuitos de entrada y salida.
Memoria eMMC (Embedded MultiMediaCard)
- VCC (Core Power):
- Alimenta el núcleo de la memoria flash NAND. Suele operar a 3.3V en la mayoría de las configuraciones, aunque algunas versiones de eMMC pueden funcionar con voltajes más bajos, como 1.8V, dependiendo de la tecnología de la célula NAND.
- VCCQ (I/O Power):
- Proporciona alimentación para los pines de entrada y salida (I/O), que gestionan las señales de comunicación con el procesador. Dependiendo del diseño del dispositivo, este voltaje suele ser 1.8V o 3.3V.
- VCCQ2 (Dual I/O Power, si está presente en versiones eMMC 5.1 o superiores):
- Para algunas versiones más recientes de eMMC, VCCQ2 puede alimentar la interfaz de alta velocidad. Su voltaje suele estar en el rango de 1.2V, diseñado para reducir el consumo de energía durante operaciones de alta velocidad.
Memoria UFS (Universal Flash Storage)
- VCC (Core Power):
- Alimenta el núcleo de la memoria flash NAND y normalmente opera a 3.3V, similar a la eMMC. Se encarga de proporcionar la energía necesaria para las operaciones de almacenamiento de datos.
- VCCQ (I/O Power):
- Alimenta las líneas de entrada/salida para la comunicación con el controlador o procesador. En memorias UFS, este voltaje suele estar en 1.8V, optimizando el consumo de energía en la interfaz de alta velocidad MIPI M-PHY o UniPro que utilizan las memorias UFS.
- VCCQ2 (Dual I/O Power):
- Esta línea de alimentación se utiliza para la interfaz de alta velocidad en versiones avanzadas de UFS (como UFS 2.1/3.0), permitiendo un voltaje bajo de alrededor de 1.2V para reducir el consumo de energía durante las transferencias rápidas.
- VDDM (Power for Memory Controller):
- En algunos sistemas, puede haber una línea dedicada de alimentación VDDM para el controlador de la memoria UFS, permitiendo separar la alimentación del núcleo y de la interfaz I/O.
Memoria eMCP (Embedded Multi-Chip Package)
La eMCP es una combinación de una memoria eMMC o UFS junto con DRAM (LPDDR), lo que significa que compartirá muchas de las mismas líneas de alimentación que la eMMC o UFS, pero con algunas adicionales para la DRAM.
- VCC (Core Power):
- Alimenta el núcleo de la memoria flash, ya sea eMMC o UFS, igual que en los casos anteriores. Normalmente está en 3.3V.
- VCCQ (I/O Power):
- Para alimentar las líneas de I/O de la memoria flash, operando en 1.8V o 3.3V, dependiendo del tipo de memoria (eMMC o UFS).
- VDD1 (DRAM Power):
- Alimenta la porción de DRAM dentro del chip eMCP. Los voltajes típicos para LPDDR4/4X o LPDDR5 son 1.1V o 0.6V para la parte de bajo voltaje de la memoria DRAM.
- VDD2 (DRAM I/O Power):
- Esta línea alimenta los circuitos de entrada/salida (I/O) de la DRAM, asegurando que las señales de comunicación con el procesador sean adecuadas. Dependiendo de la versión de LPDDR, este voltaje puede ser 1.2V o inferior.
Consideraciones adicionales
- Voltajes de baja potencia: Tanto UFS como eMCP (particularmente con LPDDR5) están optimizados para operar con voltajes más bajos, mejorando la eficiencia energética en comparación con generaciones anteriores.
- PMIC (Power Management IC): Todas estas memorias están gestionadas por el PMIC, que regula y distribuye los voltajes adecuados para cada línea de alimentación según las necesidades del sistema.